技术指标
项 目 质 量 指 标 F2 % （V/V） ≥ 99.0 CF4 % (V/V) ≤ 0.05 空气 % (V/V) ≤ 0.45 HF % (V/V) ≤ 0.5
日常生产上，为了保证安全，纯氟气不是直接压缩充瓶，而是先和氮气混合后降低它的浓度后以混合气形态充瓶。 电解槽示意图
氟气生产的核心装置-电解槽 用户现场生产氟气F2 -化学气相沉积CVD工艺的洁净高效清洗工艺
（编者按：这个关于现场制氟的短文，不代表本编辑观点）
在微电子产品薄膜制备过程中，微粒和分子清洁度对高工艺产出起着至关重要的作用。对于化学气相沉积（CVD）工艺腔室而言，由对氟气或含氟气体进行加热或等离子体活化产生的氟自由基是首选的原位清洗剂。它们与硅、二氧化硅、氮化硅、钨、铝等以及有机污染物有很高的反应性，加上反应产物具有挥发性，这确保腔室表面的微粒和分子污染物能够被清洗干净。
可连续性使用是衡量工艺进步的一个新指标，为了确保新工艺完全成功，应该在下列能够有所改进：
更少的对环境的影响。2008年国际半导体技术发展路线图要求减少高变暖潜能值气体的使用和排放，在这些气体中用量最大的是三氟化氮（NF3 ），随着液晶显示器LCD, LED面板的大量生产，三氟化氮的用量急升。
进一步研究，对薄膜光伏太阳能电池生产，显示三氟化氮的用量将超过半导体和液晶面板领域。三氟化氮的这一使用规模促使了Michael Prather （诺贝尔和平奖获得者-政府间气候变化专门小组的主要作者）将三氟化氮列为“京都议定书遗漏掉的温室气体”。联合国气候会谈把三氟化氮列入到将在2012年及之后替代京都议定书的新协议的限制排放气体名单内，而环境监测也显示了大气中的三氟化氮含量正有几倍数的增长。
形成对比的是，氟气的全球变暖潜能值为0，考虑到非现场生产的三氟化氮还需要额外的化工合成、处理和危化品运输车的电力、燃油需求，现场制氟的总碳会比三氟化氮少很多倍。
更高的生产率。相比三氟化氮和其他含氟气体，氟气较弱的键离解能使工艺能够在较低温度下进行更快更节约成本的清洗。对于300毫米晶圆硅片的气相沉积工艺，在机台上进行腔室清洗时，相比三氟化氮（NF3）或三氟化氯（CLF3），氟气能够减少清洗时间又仅需较低温度，从而延长了腔室石英元件的寿命，在单一基本平台上进行的研究表明，只需用原位射频等离子体源就能够有效激活氟气。
在可比的大流量情况下，相比三氟化氮气体，氟气对氮化硅、二氧化硅、非晶硅的清洗时间减少了50%以上。因为在TFT-LCD和薄膜光伏制造中会用到更大尺寸的腔室和更高的气体流量，远程激活是激活方法的一个选择。使用同样的远程等离子体源，氟气产生的氟自由基数量是三氟化氮产生数的3.3倍，而且由于清洗刻蚀率与反应产物有关，所以会直接减少一定比例的清洗时间。氟气相比三氟化氮更大的工艺优势是由几个参数显示出的“费用”节约。清洗时间能够显著缩减66%以上，或全放弃使用它而重新使用原位清洗气体活化。除了上述，其它的成本节约还来自气体消耗量的减少以及由于减少RPS或RF动力消耗而获得的能源节约。
改进的安全性。某国际气体公司现场制氟系统已能够符合半导体、液晶面板和光伏行业的严苛的安全性和可靠性各种典型的清洗气体的全球变暖潜能值对比Cleaning GasAtmospheric Lifetime [years] ，GWP [equivalent kg，CO2 / kg]100 year，CF4 50,000 6500，C2F6 10,000 9200，C3F8 2600 7000，SF6 3200 23,900
NF3 740 17,200，F2 0 0
从引入半导体LPCVD腔室清洗开始，已有大量商业化工厂的氟发生器在电子客户厂内运行，每台每年产氟气1~100吨。这些设备已经通过了该行业所有主要的安全标准，并已在安装时通过了所有其它的当地法规。由于现场氟气使用低压力输送并去掉了不断更换高压气瓶的环节，客户运行风险得以降低。
结论：现场制氟对现有的清洗气体进行了一个有效、可持续的改进。应用实践表明其有着微电子制造所要求的高度运营安全性。氟气还消除了三氟化氮巨大而且日益增长的全球变暖危险，同时减少了清洗工艺过程的碳排放。而产能的增加和设备成本的降低也给电子用户厂提供了商业价值和设备升级积极性，改造变得有吸引力，目前的趋势是国外客户会在CVD和薄膜行业的广泛领域内采用现场制氟。当然，由于国内安全观念和实践的不同，估计这个方式做起来会很缓慢。
含氟气的激光气体钢瓶（本图是进口氟气）
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